Выпущены чипы памяти для смартфонов с рекордной плотностью и производительностью
Чипы с рекордной высокой плотностью
Micron Technology приступила к поставкам пробных образцов чипов памяти, которые, как утверждает компания, предлагают рекордную плотность и производительность на рынке. Все они предназначены для мобильных устройств.
Первые устройства с новой памятью ожидаются в продаже во второй половине 2017 г., сообщили в компании.
Четыре модели
В общей сложности Micron выпустила четыре модели чипов, два из которых базируются на стандарте Universal Flash Storage (UFS) 2.1, другие два — на MultiMediaCard (eMMC) 5.1.
Из первых двух одна модель представляет собой многофункциональный модуль, который, помимо 32 ГБ флэш-памяти, содержит 3 ГБ оперативной памяти LPDDR4X. Второй чип содержит только 32 ГБ флэш-памяти.
Технология 3D NAND
Реализованная в новых чипах технология 3D NAND подразумевает использование до 32 слоев ячеек, наложенных друг на друга, что позволило существенно повысить плотность записи данных — в три раза по сравнению с планарной структурой. При этом один кристалл занимает площадь всего 60,2 кв. м.
Новые чипы NAND-памяти Micron
Транзисторы с плавающим затвором
Кроме того, в новых чипах Micron впервые на рынке решила применить транзисторы с плавающим затвором. Представитель компании Дэн Бингэм (Dan Bingham) пояснил, что это позволит увеличить срок эксплуатации памяти и ее надежность.
Скорость работы
Скорость работы новых чипов памяти Micron составляет до 600 Мбит/с в режиме последовательного чтения, что на 40% превышет показатель продуктов компании предыдущего поколения.
Разработки конкурентов
Флэш-память с трехмерной структурой ячеек выпускают практически все производители, включая Samsung, Toshiba и партнера Micron, корпорацию Intel. Компания Samsung, например, в феврале 2016 г. приступила к коммерческим поставкам чипов емкостью 256 ГБ на базе аналогичной технологии, которую в компании называют V-NAND.
Как правильно выбрать карту памяти для смартфона?
