Samsung начинает массовое производство чипов мобильной памяти ddr3 объемом 4 гбит

Компания Samsung объявила о старте массового производства новейших 4-гигабитных чипов памяти DDR3 по 20-нм техпроцессу. Выпуск DRAM-памяти, каждая ячейка которой состоит из связанных транзистора и конденсатора, намного сложнее производства флэш-памяти типа NAND с одним транзистором, поэтому традиционно объемы DRAM-чипов заметно уступают объемам чипов флеш-памяти.

Чтобы справиться с этой задачей, Samsung использует новейшие технологии двойного шаблона и атомно-слоевого осаждения. Это не только позволило компании выпускать чипы памяти DDR3 по 20-нм техпроцессу, используя существующую иммерсионную ArF-литографию (литография с использованием эксимерных лазеров на фториде аргона, работающих в диапазоне жесткого ультрафиолета), но и сделает возможным производство следующего поколения DRAM по техпроцессу класса 10 нм в будущем.

Кроме того, Samsung добилась беспрецедентной однородности нанесения сверхтонких диэлектрических пленок конденсаторов, что дополнительно улучшило эффективность памяти.

Смотрите также: Коротко о новом: Samsung начинает массовое производство чипов мобильной памяти DDR3 плотностью 4 Гбит

Добрый день, Хабр! Вчера Samsung объявила о старте массового производства 20-нанометровых чипов памяти DDR3 плотностью 4 Гбит.

Выпуск этой DRAM-памяти, каждая ячейка которой состоит из связанных транзистора и конденсатора, намного сложнее производства флэш-памяти типа NAND с одним транзистором, поэтому традиционно объемы DRAM-чипов заметно уступают объемам чипов флэш-памяти. Чтобы справиться с этой непростой задачей, специалисты Samsung объединили модифицированную технологию экспонирования с двойным шаблоном и технологию атомно-слоевого осаждения.

Одновременно Samsung повысила эффективность производства: для новых чипов она на 30% выше, чем для DDR3 по 25-нм техпроцессу, и вдвое больше по сравнению с DDR3 по 30-нм техпроцессу. Показатели энергоэффективности чипов на 25% опережают характеристики мобильной памяти, изготовленной по 25-нм техпроцессу.

Согласно исследованиям компании Gartner, мировой рынок мобильной памяти увеличится с 35,6 миллиардов долларов в 2013 году до 37,9 миллиардов долларов в 2014 году.

Samsung будет производить ASIC чипы для майнинга

Читать также…

• Samsung представил скоростные чипы памяти объемом в 256 гб для планшетов и смартфонов

• Samsung выпустила экономичные модули памяти ddr3

• Lpddr3 будет стандартом оперативной памяти в мобильных устройствах в 2014 году

• Apacer выпустила комплекты памяти ddr3 высокой емкости

• Samsung представила высокоскоростные модули памяти emmc 5.1 для смартфонов

• Elpida разработала производительный и экономичный мобильный чип памяти lpddr3