Samsung готовится к выпуску «систем на чипе» по 14-нанометровой технологии

Samsung готовится к выпуску «систем на чипе» по 14-нанометровой технологии

Компания и её партнёры разрабатывают технологии производства процессоров по передовой методике FinFET, предусматривающей применение транзисторов с трёхмерной структурой.

Компания Samsung объявила об очередных достижениях в разработке энергетически эффективных процессоров для мобильных устройств.

Смотрите также: Китай осваивает передовые технологии производства микросхем

В Институте микроэлектроники Академии наук КНР разработан транзистор с шириной затвора в 22 нанометра. Предполагается, что достижение поможет Китаю уменьшить зависимость от иностранных производителей чипов.

Институт микроэлектроники Академии наук КНР (IMECAS) отрапортовал об очередных достижениях в разработке методик производства электронных микрочипов.Фото IMECAS.

Структура FinFET (иллюстрация Википедии).

Samsung готовится к внедрению 14-нанометровой технологии изготовления «систем на чипе» по передовой методике FinFET (Double-Gate Field-Effect Transistors), которая предусматривает применение транзисторов с трёхмерной структурой.

Сообщается, что Samsung готовится к тестовому производству ряда процессоров нового поколения, включая изделия на архитектуре ARM Cortex-A7. Разработчики используют низковольтные компоненты платформы ARM big.LITTLE, которая предусматривает объединение основных вычислительных ядер Cortex-A15 и дополнительных ядер Cortex-A7.

Гибридная конфигурация обеспечит оптимальный баланс между энергопотреблением и быстродействием, что поможет увеличить время автономной работы портативных устройств.

Сторонним разработчикам Samsung предложит набор средств, позволяющих проектировать 14-нанометровые изделия на основе технологии FinFET.

Подготовлено по материалам Phys.Org.

Автор: Владимир Парамонов

Что такое техпроцесс в смартфоне и на что он влияет? Как устроен процессор смартфона?


Читать также…

Читайте также: